德国媒体：中国新的“光学硅”芯片技术引起了全球轰动

中国的光学硅一项技术突破正在引起全球轰动：中国研究人员开发了一种新型的“光学硅”芯片，可以通过经济有效的德国方法在超级计算机和数据中心大规模生产。周三，媒体中国研究人员在权威科学杂志《自然》上发表了一份研究报告，中国称这项创新可能有助于减少美国制裁造成的新的芯片技术限制。这可能意味着全球高科技力量平衡的技术巨大变化，再次引发地缘政治紧张时期国家工业主权的引起问题。

限制芯片出口的全球拜登。

技术革命：钽酸锂。轰动

这些芯片也被称为使用光子处理和传输信息的光学硅新型“光学硅”芯片。 它们通常包含数百个光子组件，德国主要用于光纤通信或光子计算，媒体以提高传输速度，中国降低能耗。新的芯片

“光学硅”芯片可以由各种材料制成，技术包括铌酸锂。由于其将电子数据转换为光子信息的特点，铌酸锂在这个用途中非常流行，也被称为“光学硅”。哈佛大学和其他外国研究机构甚至提出了一个大胆的想法——模仿“硅谷”模式来建设新一代的“铌酸锂谷”。

德国Heise新闻网报道。

中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣和瑞士联邦理工学院教授托比亚斯·基彭伯格的团队解释说：“然而，该技术的工业应用受到每个晶圆成本高、晶圆尺寸有限的阻碍。”。

该团队选择了另一种半导体材料——钽酸锂(LitaO3)，其性能优于铌酸锂，由于制造工艺与商业硅方法密切相关，可以实现成本效益的大规模生产。 降低成本是由消费电子公司的需求驱动的。

研究表明，“钽酸锂已在商业上用于5G射频滤波器”(即智能手机)，并以低成本提供可扩展制造。在某些情况下，它具有与铌酸锂相同的性能，甚至更好。”。

中国芯片研究人员。

以性价比高的量产为目标。

中国研究人员的科学成就可能会彻底改变“光学硅”芯片的工业应用，克服以往阻碍该技术应用的高成本和有限的晶圆尺寸。

新型“光学硅”芯片的制造类似于电子集成电路的制造，包括利用光刻技术对晶圆进行图案化，然后进行蚀刻和材料沉积。 该团队开发了适用于钽酸锂晶圆的兼容加工技术。该团队使用基于深紫外线的基础(DUV)步进制造工艺证明，能够蚀刻钽酸锂来制造低损耗的新型“光学硅”芯片。 研究人员认为，该技术也可用于精确测量和激光成像探测和测距。

超级计算机在中国。

中国凭借新开发的“光学硅”芯片生产方法，在高性能芯片生产方面处于领先地位。该技术可以帮助中国减少对美国及其一些主要盟友的限制。 这些限制包括出口管制和制裁，旨在限制中国获得先进的芯片和制造设备。

这一发展的战略重要性不容低估。新硅聚合物是上海研究院创办的初创公司（Novel Si Integration Technology）它有能力使用新材料批量生产8英寸晶圆，并开发了可行的商业微加工方法。这为中国制造光学和射频芯片提供了物质基础。研究人员强调：“我们的工作为下一代‘光学硅’芯片的低成本和大规模扩展制造铺平了道路。他们强调了钽酸锂在无线应用中的潜力。

每个国家都要争取技术主权。

美国科技的主导地位遭遇了新的挫折。

这种情况的发展对美国来说可能是一个重大挫折。 著名期刊《自然》发表的研究结果表明，通过这一创新，中国在高科技领域向独立迈出了决定性的一步。

中国研究人员开发的新型“光学硅”芯片也能给西方敲响警钟。德国媒体表示，鉴于这些发展，德国和欧洲将如何在这场新技术竞赛中定位自己。 依赖国外高科技是一个不可低估的风险。 德国政策制定者现在应该制定一项不仅要关注短期经济利益，还要关注长期技术主权和安全的战略。

这也表明，技术创新和进步不再仅仅掌握在少数国家手中。 相反，它表明，技术的未来将在全球竞争环境中书写，每个国家都应该努力加强自己的技术基础，独立行动。